一種TVS二極管的制作方法

本實(shí)用新型涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TVS二極管。

背景技術(shù)：

二極管的分類有很多種，其中一種是TVS二極管(瞬態(tài)電壓抑制二極管)，該類二極管在反向應(yīng)用條件下，當(dāng)所加電壓在一定范圍內(nèi)變化時(shí)能迅速由原來(lái)的高阻抗變到很低的導(dǎo)通值，把電壓籍位到預(yù)定電壓，從而有效地消除對(duì)敏感系統(tǒng)設(shè)備、元件的危害。TVS可用于防雷擊、防過(guò)電壓、抗干擾、吸收浪涌功率等，是一種理想的保護(hù)器件�，F(xiàn)有技術(shù)中，通常采用紙?jiān)磧纱螖U(kuò)散單個(gè)結(jié)的生產(chǎn)工藝生產(chǎn)TVS二極管芯片，其存在問(wèn)題是:使用單個(gè)擴(kuò)散結(jié)生產(chǎn)TVS二極管芯片時(shí)，反向擊穿時(shí)，臺(tái)面的表面擊穿電壓低于體內(nèi)擊穿電壓，造成表面擊穿先于體內(nèi)擊穿，擊穿電流集中分布在臺(tái)面附近，臺(tái)面由硅與玻璃層組成，相互應(yīng)力較大，造成反向擊穿漏電較大。因?yàn)槁╇娮兇笤斐山Y(jié)溫升高，產(chǎn)品可靠性變差等問(wèn)題。還有，由于二極管焊接到電路板上時(shí)，需要將引線彎折，這樣就極易引起引線內(nèi)部出現(xiàn)斷裂、松動(dòng)，使得產(chǎn)品失去電連接性能而成為廢品。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述背景技術(shù)中提到的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種TVS二極管。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案：

一種TVS二極管，包括殼體，所述殼體內(nèi)設(shè)有芯片，且芯片由N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體組成，N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的交界處形成PN結(jié)，所述N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的外壁一側(cè)均焊接有合金層，且合金層的外壁一側(cè)通過(guò)金屬觸點(diǎn)焊接有引線，所述殼體內(nèi)填充有保護(hù)膠，所述引線穿過(guò)殼體的內(nèi)壁向外延伸，且引線的外壁套接有環(huán)形限位塊，殼體的內(nèi)壁設(shè)有與環(huán)形限位塊對(duì)應(yīng)的環(huán)形限位槽，所述殼體的下端外壁固定連接有兩個(gè)對(duì)稱的凹槽，且凹槽內(nèi)通過(guò)彈簧固定連接有凸起，所述殼體的上端外壁內(nèi)設(shè)有與卡塊對(duì)應(yīng)的卡接槽。

優(yōu)選地，所述N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體交界處形成的PN結(jié)的橫截面為鋸齒狀。

優(yōu)選地，所述保護(hù)膠為環(huán)氧樹脂制成。

優(yōu)選地，所述引線彎曲90度并穿過(guò)殼體的側(cè)壁向外延伸。

優(yōu)選地，所述殼體的外表面涂覆有阻燃層，且阻燃層包括水性聚氨酯阻燃涂料層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體交界處形成的PN結(jié)的橫截面為鋸齒狀，通過(guò)增加PN結(jié)的面積，提升整體芯片的性能，提高耐擊穿能力，而N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的外壁一側(cè)均通過(guò)冶金熔焊有合金層，使得結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)固，合金層的外壁一側(cè)通過(guò)金屬觸點(diǎn)連接有引線，由于引線彎曲90度并穿過(guò)殼體的側(cè)壁向外延伸，無(wú)需再次人工彎曲，減少引線的彎曲損耗，同時(shí)在引線的外壁套接有環(huán)形限位塊，能夠有效避免引線出現(xiàn)拉扯時(shí)而導(dǎo)致芯片的拉傷和斷裂，同時(shí)將卡塊插接至另一個(gè)二極管上的卡接槽內(nèi)，實(shí)現(xiàn)多個(gè)二極管的串聯(lián)使用。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易操作，實(shí)現(xiàn)了多個(gè)二極管的串聯(lián)使用，同時(shí)有效避免了芯片的斷裂和損傷。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型A結(jié)構(gòu)放大示意圖。

圖中：殼體1、保護(hù)膠2、N型半導(dǎo)體3、P型半導(dǎo)體4、合金層5、金屬觸點(diǎn)6、引線7、環(huán)形限位塊8、環(huán)形限位槽9、阻燃層10、卡接槽11、卡塊12、凸起13、凹槽14、彈簧15。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。

參照?qǐng)D1-2，一種TVS二極管，包括殼體1，殼體1內(nèi)設(shè)有芯片，且芯片由N型半導(dǎo)體3和P型半導(dǎo)體4組成，N型半導(dǎo)體3和P型半導(dǎo)體4的交界處形成PN結(jié)，N型半導(dǎo)體3和P型半導(dǎo)體4的外壁一側(cè)均焊接有合金層5，且合金層5的外壁一側(cè)通過(guò)金屬觸點(diǎn)6焊接有引線7，殼體1內(nèi)填充有保護(hù)膠2，引線7穿過(guò)殼體1的內(nèi)壁向外延伸，且引線7的外壁套接有環(huán)形限位塊8，殼體1的內(nèi)壁設(shè)有與環(huán)形限位塊8對(duì)應(yīng)的環(huán)形限位槽9，殼體1的下端外壁固定連接有兩個(gè)對(duì)稱的凹槽14，且凹槽14內(nèi)通過(guò)彈簧15固定連接有凸起13，殼體1的上端外壁內(nèi)設(shè)有與卡塊12對(duì)應(yīng)的卡接槽11。

具體的，N型半導(dǎo)體3和P型半導(dǎo)體4交界處形成的PN結(jié)的橫截面為鋸齒狀，通過(guò)增加PN結(jié)的面積，提升整體芯片的性能，提高耐擊穿能力。

具體的，保護(hù)膠2為環(huán)氧樹脂制成，能夠起到有效的保護(hù)作用。

具體的，引線7彎曲90度并穿過(guò)殼體1的側(cè)壁向外延伸，無(wú)需再次人工彎曲，減少引線7的彎曲損耗。

具體的，殼體1的外表面涂覆有阻燃層10，且阻燃層10包括水性聚氨酯阻燃涂料層，可以阻止二極管發(fā)生自燃現(xiàn)象，提高了二極管的安全性。

工作原理：本實(shí)用新型中，N型半導(dǎo)體3和P型半導(dǎo)體4交界處形成的PN結(jié)的橫截面為鋸齒狀，通過(guò)增加PN結(jié)的面積，提升整體芯片的性能，提高耐擊穿能力，而N型半導(dǎo)體3和P型半導(dǎo)體4的外壁一側(cè)均通過(guò)冶金熔焊有合金層5，使得結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)固，合金層5的外壁一側(cè)通過(guò)金屬觸點(diǎn)6連接有引線7，由于引線7彎曲90度并穿過(guò)殼體1的側(cè)壁向外延伸，無(wú)需再次人工彎曲，減少引線7的彎曲損耗，同時(shí)在引線7的外壁套接有環(huán)形限位塊8，能夠有效避免引線7出現(xiàn)拉扯時(shí)而導(dǎo)致芯片的拉傷和斷裂，同時(shí)將卡塊12插接至另一個(gè)二極管上的卡接槽11內(nèi)，實(shí)現(xiàn)多個(gè)二極管的串聯(lián)使用。

以上，僅為本實(shí)用新型較佳的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其實(shí)用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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